[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-E311-15] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成における窒素不純物濃度の影響

〇(M1)楢原 拓真^1,2、佐藤 真一郎²、児島 一聡³、山﨑 雄一²、土方 泰斗¹、大島 武² (1.埼玉大学、2.量研、3.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、半導体、窒素空孔

炭化ケイ素(SiC)中の窒素・空孔複合欠陥(NcVsi-)は、生体透過性が極めて高い1300 nm付近の発光を室温で示し、電子スピン(スピン量子数S=1)を持つことから、生命科学や医療分野における量子センシング（局所領域の高感度磁場・温度計測）への応用が期待されている。本研究では、NcVsi-密度の高濃度化を目的に不純物窒素(N)濃度の異なる4H-SiCにイオンビーム照射と熱処理を行い、N濃度がNcVsi-形成に及ぼす影響をフォトルミネッセンス(PL)測定を用いて調査した。