[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-E311-16] SiC結晶中シリコン空孔のODMR信号に熱処理温度が及ぼす影響

〇(M2)千葉 陽史^1,2、山﨑 雄一²、牧野 高紘²、佐藤 真一郎²、山田 尚人²、佐藤 隆博²、土方 泰斗¹、大島 武² (1.埼玉大院、2.量研)

キーワード：炭化ケイ素、シリコン空孔、光検出磁気共鳴

炭化ケイ素(V_Si)半導体中のシリコン空孔(V_Si)は室温において局所的な磁場や温度を検出する量子センサへの応用が期待されている。本研究では、量子センシング上の基本操作となる光検出磁気共鳴(ODMR)測定の感度を高めるために、V_Si形成後に行う熱処理の温度がV_Siの発光及びODMR信号にもたらす影響を調べた。