[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-E311-17] SiC デバイス内の3 次元配列シリコン空孔を用いた光検出磁場共鳴測定

〇山崎 雄一¹、千葉 陽史^1,2、佐藤 真一郎¹、牧野 高紘¹、山田 尚人¹、佐藤 隆博¹、土方 泰斗²、児嶋 一聡³、土田 秀一⁴、星乃 紀博⁴、大島 武¹ (1.量研、2.埼玉大工、3.産総研、4.電中研)

キーワード：シリコン空孔、量子センサ

炭化ケイ素(SiC)を母材とする点欠陥であるシリコン空孔(Vsi)を用いた量子センサ実現に向けて、プロトンビーム描画(PBW)を用いた3 次元配列Vsiの作製およびその光学特性を評価した。プロトンエネルギーを変えることで深さ制御されたそれぞれのVsiから光検出磁場共鳴(ODMR)スペクトル(@ゼロ磁場)が得られ、量子センサとして使用可能な3 次元配列Vsi 形成に成功した。