[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-E311-5] 結晶面の異なる 4H-SiC MOS 界面からの Ar アニールによる N 原子脱離過程

〇(M1)佐俣 勇祐¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：窒化、脱離、XPS

SiCパワーMOSFETにおいては、熱酸化に伴って生成する界面欠陥を低減する手法として、NOアニールによる界面窒化が広く用いられている。N原子はSiC表面に特異的に安定に存在できることが知られているが、界面構造の解明は不十分である。本研究では、Arアニール処理によるSiC表面からのN原子の脱離過程に着目し、XPS測定により求めたN原子の残留量から、界面構造中の結合の強さの結晶面による比較（Si面とC面）を試みた。