[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-E311-7] 高純度半絶縁性SiC基板上にイオン注入で作製したpinダイオードの評価

〇金子 光顕^1,2、Tsibizov Alexander²、木本 恒暢¹、Grossner Ulrike² (1.京大院工、2.チューリッヒ工科大学)

キーワード：炭化ケイ素、イオン注入、pinダイオード