[20p-E313-1~17] 1.5 計測技術・計測標準

[20p-E313-6] モンテカルロ直接法を用いた希薄流体シミュレーションによる半導体製造プロセス向け真空計内部の解析とその構造最適化

〇石原 卓也¹、添田 将¹、関根 正志¹、新村 悠祐¹ (1.アズビル株式会社)

キーワード：半導体製造プロセス、隔膜真空計、モンテカルロシミュレーション

最新の半導体製造プロセスに対応する為、圧力計測に使用される真空計の内部の構造をモンテカルロ直接法を用いた3次元希薄流体シミュレーションで解析し最適化を行ったのでそれについて報告する。