[20p-E319-1~10] 【CS.6】 Code-sharing Session of 6.5 & 7.6

[20p-E319-10] Device temperature characteristics in directly-bonded surface-mounted LED package

〇(M1)Keigo Komaru¹, Jianbo Liang¹, Yoshitaka Nishio², Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ, 2.Toyo Aluminium K.K.)

Keywords:LED

LEDの実装にはsapphireがよく用いられる。しかし電子部品の高密度化による発熱密度の増加に伴い放熱基板材料への高熱伝導率化が求められる。そこで我々は高い熱導伝率を有するAlN(熱伝導率150[w/m・K])に注目した。我々は表面活性化接合(SAB)法によって接合材フリーなAl箔/AlN基板接合の作製に成功し600℃以上の耐熱温度を有することを実証している。本研究では表面実装型のLEDパッケージ/Al箔/AlN基板接合を作製し、その電気特性、熱抵抗の評価を行った。