[20p-E319-1~10] 【CS.6】 6.5 表面物理・真空と7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[20p-E319-3] Si(113)表面初期酸化過程への超音速分子線の影響

〇大野 真也¹、田中 一馬¹、小玉 開¹、吉越 章隆² (1.横国大院工、2.原子力機構)

キーワード：分子線、酸化反応、光電子分光

三次元チャネル構造において、MOS界面には高指数面が存在する。Si(113)面を用いることにより、Si(001)と同程度まで界面準位密度(Dit)を低減させることができる。本研究では、Si(113)上での酸化反応を制御するため超音速分子線(SSMB)を用いた。我々は、反応速度の並進運動エネルギーに対する依存性について報告し、SiO2/Si界面の電子状態に基づいてその起源を議論する。