[20p-F211-1~13] 31.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

△ [20p-F211-8] FeFETを用いた時間領域アナログ積和演算回路の性能評価

〇原田 將敬¹、森江 隆¹、高橋 光恵²、酒井 滋樹² (1.九工大生命体工、2.産総研)

キーワード：FeFET、アナログメモリ

超高効率AIプロセッサの実現に向けて，超低消費エネルギー時間領域積和演算回路方式が提案されている．この方式では，1GΩ以上の抵抗値を不揮発的に制御・保持できる不揮発性アナログメモリ素子が必要である．我々は，その候補として，サブスレッショルド動作のFeFETを検討している．今回，FeFETを用いた小規模回路により積和演算性能を評価した結果を報告する