[20p-N304-1~10] アトミックレイヤープロセスの最新動向

△ [20p-N304-10] SiN Atomic Layer Etching表面状態の変動解析

〇平田 瑛子¹、深沢 正永¹、釘宮 克尚¹、長岡 弘二郎¹、唐橋 一浩²、浜口 智志² (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ、2.阪大院工)

キーワード：原子層エッチング、絶縁膜SiN、表面解析

近年、超高選択比加工や低ダメージ加工を実現するためにALE (Atomic Layer Etching)の研究開発が活発化している。今回はSiNに対して表面吸着と脱離を繰り返すALEを検討した。
特に、安定なALEの実現には1サイクル毎に同じ表面状態に戻す事が重要であり、表面状態のサイクル数による変動を詳細に評価した。