[20p-N304-1~10] Latest trend on atomic layer processes

△ [20p-N304-7] Dependence of chlorine adsorption layer on ion energy on Ar ion-irradiated GaN surface

〇Masaki Hasegawa¹, Takayoshi Tsutsumi², Hiroki Kondo², Makoto Sekine², Kenji Ishikawa², Masaru Hori² (1.Nagoya Univ., 2.Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, Atomic Layer Etching

Cｌ原子吸着と低エネルギーイオン照射のステップを繰り返す、窒化ガリウム（ＧａＮ）のサイクルプロセス構築には各ステップでの現象の理解が求められる。我々はＡｒイオン照射後のＧａＮ表面へのＣｌ吸着挙動をその場Ｘ線光電子分光法で調べた。Ｃｌ原子侵入深さはAｒイオンエネルギーに依存することを明らかにした。サイクルプロセスによるCｌ原子吸着は、イオン照射によるＧａ金属リッチ層の形成が大きく影響する。