[20p-N304-1~10] アトミックレイヤープロセスの最新動向

[20p-N304-8] 表面反応制御による高選択Conformal ALE

〇伊澤 勝¹ (1.日立ハイテク)

キーワード：プラズマ、エッチング、半導体

最先端および次世代半導体では構造の３次元化により高選択コンフォーマル加工が求められている。高選択で制御性の高いコンフォーマル加工を実現するため、IRランプを搭載したプラズマ装置を開発した。本報告では、その装置を用い付着と脱離を独立制御することで得られた、いくつかの材料の高選択かつコンフォーマルなAtomic Layer Etching (ALE)について報告する。