[20p-N304-1~10] Latest trend on atomic layer processes

△ [20p-N304-9] In-situ etching reaction analysis of silicon nitride in ALE by fluorine radicals

〇Kazuya Nakane¹, Rene H. J. Vervuurt^2,3, Takayoshi Tsutsumi³, Nobuyoshi Kobayashi³, Masaru Hori³ (1.Nagoya Univ. Eng., 2.ASM Japan K.K., 3.Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya univ.)

Keywords:Atomic Layer Etching, silicon nitride

高精度エッチングを実現するため、ALEを始めとするサイクルプロセスが注目されている。SiNxにおいては、水素プラズマとフッ素ラジカルによるサイクルエッチングが提案されている。しかし、水素プラズマによる化学結合状態の変化や、フッ素ラジカルによるエッチング促進機構の詳細は不明である。そこで、本研究ではIn-situ表面解析手法により、ALE中のSiNx表面の評価を行い、さらなる高精度エッチングの実現可能性を示唆する。