[20p-PB1-1~13] 6.5 表面物理・真空

[20p-PB1-4] NEA-GaAsの微視的な表面状態と電子放出の特性

〇福添 竜太朗¹、平尾 昌幸¹、田中 瑛里香¹、目黒 多加志¹ (1.東理大理)

キーワード：フォトカソード、ガリウムヒ素、走査トンネル顕微鏡

Ⅲ-Ⅴ族半導体であるp-GaAs表面に対してアルカリ金属のCsを吸着させると、負の電子親和力 (Negative Electron Affinity, NEA)状態となる。先行研究により、NEA表面には多種多様な吸着状態があり、その吸着状態すべてがNEAに関係しているわけではない事が明らかとなっている。しかし、電子放出に寄与する吸着状態に関して、微視的な観点での研究はほとんどされていない。本研究ではSTMを用いて、微視的な表面状態と電子放出特性の関係性の測定を行った。