[20p-PB2-1~18] 7 ビーム応用（ポスター）

[20p-PB2-9] ECRイオン源を用いたアルミニウム多価イオン生成における基礎検討

〇(B)松井 悠太朗¹、中村 翼¹、笹岡 秀紀¹、浅地 豊久²、古瀬 宗雄¹ (1.大島商船高専、2.富山高専)

キーワード：ECRイオン源、ミラー磁場、アルミニウム多価イオン

半導体製造において，基板材料に不純物をドーピングするイオン注入は不可欠な技術となっている。そこで本研究では，アルミニウム多価イオンを生成するための基礎的検討を目的とした。スパッタ源によるアルミニウム多価イオンの生成を検証した結果，Al⁺¹（m/z; 27）はスパッタ源電圧-400 Vの時に約32.3 nAであった。多価イオンが検出されなかった理由は，スパッタ後のAl原子の挙動が要因であると考えられた。