The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[21a-B31-1~8] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Sat. Sep 21, 2019 9:00 AM - 11:15 AM B31 (B31)

Tomoki Abe(Tottori Univ.)

9:00 AM - 9:15 AM

[21a-B31-1] The effect of grain boundary on carrier transport in transparent and conductive polycrystalline oxide thin films

Tadatsugu Minami1 (1.OEDS R&D Center, KIT)

Keywords:Transparent and conductive film, Conduction mechanism, Grain boundary scattering

縮退したAl添加ZnO(AZO)薄膜におけるホール移動度(μHall)の温度依存性(この依存性はnにも影響される)をMunozらの理論を使って検討する.縮退を考慮した熱放出による粒界散乱(Setoの理論)をMunozらの理論に導入してμMunozを理論的に計算した結果,AZO透明導電膜の実験結果(μHallの温度依存性及びμHall-n特性)のいずれにおいても良いフィッティングが得られた.