[21a-C309-1~13] 6.1 Ferroelectric thin films

[21a-C309-11] Development of a ferroelectric capacitor with double-layered PbLa(Zr,Ti)O₃ thin films aiming to lowering operation voltage and leakage current of FRAM

〇Wensheng Wang¹, Ko Nakamura¹, Kazuaki Takai¹, Kenji Nomura², Takashi Eshita^3,1, Masaaki Nakabayashi¹, Soichiro Ozawa¹, Hideshi Yamaguchi², Satoru Mihara¹, Yukinobu Hikosaka¹, Hitoshi Saito¹, Yuji Kataoka², Manabu Kojima¹ (1.Fujitsu Semiconductor Ltd., 2.Fujitsu Lab., 3.Wakayama Univ.)

Keywords:double-layered PLZT, capacitor, FRAM

低電圧動作、低リーク電流を持つ優れた積層PbLa(Zr,Ti)O₃ (PLZT)キャパシタの成膜プロセスを開発した。新たなプロセスで形成した薄膜化積層PLZTキャパシタは分極特性の立ち上がりは良好なまま、従来と同等以上の飽和分極量が得られ、リーク電流を一桁以上低減できた。これは、積層強誘電体キャパシタ上部電極の形成条件及び熱処理方法を工夫することによって、上部電極と強誘電体膜の界面を制御した結果である。