[21a-E301-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-E301-10] 薄膜バリア層AlGaN/AlN/GaN HEMT構造におけるコンタクト抵抗の
Ti/Alオーミックメタル膜厚依存性

〇山下 良美¹、渡邊 一世¹、笠松 章史¹ (1.情報通信研究機構)

キーワード：GaN、HEMT、AlGaN

GaN系HEMTは高周波パワーデバイスとして期待されており、高い高周波特性は、数nm以下の薄膜バリア層を用いた低コンタクト抵抗が必要不可欠で、f_T = 450 GHz、f_max = 600 GHzが報告されている^[1]。本報告では、AlGaNバリア層を5 nmから2 nmまで薄膜化したAlGaN/AlN/GaN HEMT構造におけるコンタクト抵抗のTi/Alオーミックメタル膜厚依存性を検討した。