[21a-E301-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-E301-11] ピコ秒レーザPLD法を用いたGaNトンネル接合コンタクトの形成

〇児玉 和樹¹、小笠原 直²、内藤 一樹³、小田 修¹、堀 勝¹、上田 大助¹ (1.名古屋大、2.京都工芸繊維大、3.大陽日酸)

キーワード：ピコ秒レーザPLD、トンネル接合コンタクト、窒化ガリウム

縦型GaNパワーデバイスは低損失・高耐圧な電力変換素子として期待され精力的に研究されている。しかしながら、p型GaN層のコンタクト抵抗の低減が課題である。P-GaNコンタクト抵抗の低減に向けては、トンネル接合コンタクトの形成が有効である。我々はこれまでにピコ秒レーザPLD法を用いることにより、ノンアロイオーミック電極が形成可能な高濃度n⁺-GaN再成長を実現した。本研究では、PLD法を用いてp-GaNサンプル上にn⁺-GaN層を選択再成長し、ノンアロイオーミック電極形成を確認したので報告する。