[21a-E301-1~13] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [21a-E301-4] Fabrication GaN nanowires by electrodeless photo-assisted electrochemical etching and wet etching

〇Michihito Shimauchi^1,2, Kazuki Miwa¹, Masachika Toguchi¹, Taketomo Sato¹, Junichi Motohisa² (1.RCIQE,Hokkaido Unv., 2.IST, Hokkaido Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, nanowire, Photo-assisted electrochemical etching

窒化ガリウムナノワイヤは、サラウディングゲート縦型トランジスタや、発光ダイオードへの応用に向けて、その作製やデバイス応用の研究が盛んに行われている。本研究において我々のグループは、光電気化学エッチングとウェットエッチングを用いた窒化ガリウムナノワイヤの作製に成功したので報告する。これらのプロセスはイオンによるダメージがなく、ダメージレスなナノワイヤが作製可能であり、作製したナノワイヤの特性評価に関しても報告する予定である。