[21a-E301-1~13] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [21a-E301-5] Gallium-nitride-based heterojunction bipolar transistors with two-dimensional hole gas fabricated by epitaxial lift-off process

〇Takeru Kumabe¹, Masaya Ogura¹, Atsushi Tanaka^2,3, Yuto Ando¹, Hirotaka Watanabe², Shigeyoshi Usami¹, Manato Deki², Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4,5 (1.Dept. of Electronics Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS, 3.NIMS, 4.Nagoya Univ. ARC, 5.Nagoya Univ. VBL)

Keywords:Heterojunction Bipolar Transistors, Nitrogen-polar face, Epitaxial Lift-off

GaN-HBTは大電力動作や線形性が期待できる．これまでに，2DHGによるp-GaNのシート抵抗低減と2DHGを用いたコレクタトップ型GaN-HBTについて報告したが，コレクタトップ構造のため電流増幅率は0.003に留まった．本研究ではエピタキシャルリフトオフ法によって-c面上に2DHGを用いたエミッタトップ型GaN-HBTを作製した．電気特性を評価した結果，電流増幅率4を達成した．