[21a-E301-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [21a-E301-5] エピタキシャルリフトオフ法によって作製された二次元正孔ガスを有するエミッタトップ型GaN-HBT

〇隈部 岳瑠¹、小倉 昌也¹、田中 敦之^2,3、安藤 悠人¹、渡邉 浩崇²、宇佐美 茂佳¹、出来 真斗²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.物質・材料研究機構、4.名大赤崎記念研究センター、5.名大VBL)

キーワード：ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、窒素極性面、エピタキシャルリフトオフ

GaN-HBTは大電力動作や線形性が期待できる．これまでに，2DHGによるp-GaNのシート抵抗低減と2DHGを用いたコレクタトップ型GaN-HBTについて報告したが，コレクタトップ構造のため電流増幅率は0.003に留まった．本研究ではエピタキシャルリフトオフ法によって-c面上に2DHGを用いたエミッタトップ型GaN-HBTを作製した．電気特性を評価した結果，電流増幅率4を達成した．