2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-E301-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2019年9月21日(土) 09:00 〜 12:30 E301 (E301)

牧山 剛三(富士通研)

10:00 〜 10:15

[21a-E301-5] エピタキシャルリフトオフ法によって作製された二次元正孔ガスを有するエミッタトップ型GaN-HBT

隈部 岳瑠1、小倉 昌也1、田中 敦之2,3、安藤 悠人1、渡邉 浩崇2、宇佐美 茂佳1、出来 真斗2、新田 州吾2、本田 善央2、天野 浩2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.物質・材料研究機構、4.名大赤崎記念研究センター、5.名大VBL)

キーワード:ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、窒素極性面、エピタキシャルリフトオフ

GaN-HBTは大電力動作や線形性が期待できる.これまでに,2DHGによるp-GaNのシート抵抗低減と2DHGを用いたコレクタトップ型GaN-HBTについて報告したが,コレクタトップ構造のため電流増幅率は0.003に留まった.本研究ではエピタキシャルリフトオフ法によって-c面上に2DHGを用いたエミッタトップ型GaN-HBTを作製した.電気特性を評価した結果,電流増幅率4を達成した.