[21a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21a-E310-1] Naフラックス法でのGaN結晶育成における精製ナトリウムを用いたステップバンチング抑制

〇(B)山内 彪我¹、山田 拓海²、今西 正幸²、上田 幹人³、森 勇介² (1.阪大工、2.阪大院工、3.北大院工)

キーワード：ナトリウムフラックス法、ステップバンチング、精製ナトリウム

Naフラックス法による高品質GaN基板上にデバイスを作製する際、基板中へのインクルージョンの取り込みが問題となる。インクルージョンの取り込みにはステップバンチングが大きく寄与し、その発生は環境中の不純物に起因する。そこで今回、育成環境中の不純物を減らすために使用するNaの精製に取り組み、精製Naの使用によってステップバンチングの抑制が確認された。これにより、インクルージョン取り込みの低減が期待される。