[21a-E310-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21a-E310-3] [Highlight]Dislocation Annihilation in a Large-Diameter GaN Crystal Grown on Point Seeds by the Na-Flux Method

〇Masayuki Imanishi¹, Kanako Okumura¹, Kousuke Nakamura¹, Keisuke Kakinouchi¹, Tomoko Kitamura¹, Kousuke Murakami¹, Masashi Yoshimura^1,2, Yusuke Mori¹ (1.Osaka Univ., 2.ILE, Osaka Univ.)

Keywords:Na-flux method, GaN, Dislocation annhilation

我々はNaフラックスポイントシード法を用いて低反りかつ低転位GaN基板を作製している。当該手法ではファセット面が顕著に出現するため、酸素不純物取り込み量が多く、格子定数が拡張することが問題であった。近年ポイントシード法にFlux film coated（FFC）法を組み合わせた新技術により、ファセット面を抑制し格子定数が均一なGaNウエハを得ることに成功した。本研究では当該手法を用い直径約80 mmの大口径GaN結晶を作製したことに加え、結晶中における転位挙動を調査した。