09:30 〜 09:45 △ [21a-E310-3] 【注目講演】Naフラックスポイントシード法により作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅 〇今西 正幸1、奥村 加奈子1、中村 幸介1、垣之内 啓介1、北村 智子1、村上 航介1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)