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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月21日(土) 09:00 〜 11:45 E310 (E310)

村上尚(農工大)、新田州吾(名大)

10:00 〜 10:15

△ [21a-E310-5] ハイドライド気相成長GaNバルク単結晶の単独貫通転位における漏れ電流評価

〇濱地威明¹、藤元聖人¹、藤平哲也¹、林侑介¹、今西正幸²、森勇介²、酒井朗¹ (1.阪大院基礎工、2.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、貫通転位、漏れ電流