[21a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-E310-9] レーザ剥離技術を用いたGaN基板再生手法

田中 敦之^1,2、〇伊ヶ崎 泰則¹、天野 浩^1,2,3,4 (1.名大未来材料・システム研究所、2.物材機構、3.名大赤崎記念研究センター、4.名大VBL)

キーワード：窒化ガリウム、レーザ加工

窒化ガリウム(GaN)基板上にGaNをエピするGaN on GaNデバイスは、特性および信頼性が高いが、普及の最大の障壁がGaN基板の価格が高いことである。レーザ剥離技術を用いることで、切しろを少なくし、また剥離されたGaN基板を再利用することで材料ロスの大幅低減を図り、GaNデバイスの低価格化に貢献できる手法を提案する。実際に、5 mm角、400 um厚のGaN基板を、t340 umとt60 umに剥離することに成功し、剥離表面凹凸は10 um以内であった。