[21a-E311-1~7] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-E311-5] 三フッ化塩素ガスを用いた炭化珪素エピリアクタークリーニングにおける反応熱の影響

〇林 優也¹、羽深 等¹、倉島 圭祐¹、伊藤 英樹²、三谷 慎一²、水島 一郎²、高橋 至直³ (1.横浜大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)

キーワード：クリーニング、SiC、ドライエッチング

SiCエピ成長時にはサセプタにもSiC膜が堆積し問題となるので、それを素早く除去するクリーニング技術が必要である。今までに熱分解炭素被膜を用いてサセプタを保護しClF₃ガスで堆積膜を除去する方法が提案されており、純化処理を施した熱分解炭素被膜を用いるとクリーニング温度を570℃にできる可能性が示されている。今回、熱分解炭素（純化処理）被膜上にSiC膜を形成しClF₃ガスによるクリーニングを行った。