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[21a-E311-7] 三フッ化塩素ガスによる4H-SiCウエハエッチング速度分布におけるガス流量の効果
キーワード:炭化ケイ素、エッチング
半導体炭化ケイ素(SiC)は、電力制御用半導体素子に利用されている。これまでの研究において、三フッ化塩素(ClF3)ガスを用いて直径50 mmのSiCウエハ全体を素早くエッチングできる装置を作製し、検証してきた。本研究では総ガス流量を大きくすることにより、単結晶4H-SiCウエハ(C面)全体に亘るエッチング速度分布を平坦化することを試みた。