2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[21a-E311-1~7] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2019年9月21日(土) 09:00 〜 10:45 E311 (E311)

原田 俊太(名大)

10:30 〜 10:45

[21a-E311-7] 三フッ化塩素ガスによる4H-SiCウエハエッチング速度分布におけるガス流量の効果

入倉 健太1、奥山 将吾1、羽深 等1、高橋 至直2、加藤 智久3 (1.横国大院工、2.関東電化工業、3.産総研)

キーワード:炭化ケイ素、エッチング

半導体炭化ケイ素(SiC)は、電力制御用半導体素子に利用されている。これまでの研究において、三フッ化塩素(ClF3)ガスを用いて直径50 mmのSiCウエハ全体を素早くエッチングできる装置を作製し、検証してきた。本研究では総ガス流量を大きくすることにより、単結晶4H-SiCウエハ(C面)全体に亘るエッチング速度分布を平坦化することを試みた。