[21a-PA2-1~31] 6.3 Oxide electronics

[21a-PA2-10] Surface reaction of α-Al₂O₃ single crystalline substrate with water in pressure medium under ultra-high pressure

〇(D)Yuki Sasahara¹, Koki Kanatani¹, Masayuki Matsuhisa¹, Yuji Wada¹, Ryota Shimizu^1,2, Norimasa Nishiyama³, Taro Hitosugi¹ (1.Tokyo Tech, 2.JST-PRESTO, 3.MSL)

Keywords:ultra-high pressure, epitaxial growth, surface reaction

超高圧下でのみ存在可能な物質の常圧回収に向け、薄膜試料に超高圧印加する試みを始めた。その結果、高圧相α-PbO₂型TiO₂の単相エピタキシャル薄膜を作製できたが、Al₂O₃基板と水の副反応により平坦な薄膜は得られなかった。そこで本研究では、超高圧下におけるAl₂O₃基板と水の反応を調べるために薄膜未堆積の基板に超高圧処理したところ、特異な表面構造を有したAlO(OH)微結晶の生成を見出した。