[21a-PA2-1~31] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-PA2-5] Y₃Fe₅O₁₂/IrO₂界面におけるスピン流物性

〇(M1)福島 健太¹、森内 直輝¹、木田 孝則²、萩原 政幸²、上田 浩平¹、松野 丈夫¹ (1.阪大理、2.阪大先端強磁場)

キーワード：界面、酸化物

スピン流による磁化制御の観点から、従来のYIG/Ptよりもスピン流‐電流変換効率が期待できるYIG/IrO₂二層膜に着目した。作製条件を最適化してスパッタ製膜したYIG磁性層の飽和磁化の温度依存性から、10 Kでバルクの飽和磁化と等しい5 µ_B/f.c.が得られた。この最適化されたYIG膜を用いたYIG/IrO₂二層膜のスピンホール磁気抵抗効果 (SMR)を測定し、スピン流‐電流変換効率を明らかにする。