2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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[21a-PA2-1~31] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年9月21日(土) 09:30 〜 11:30 PA2 (第一体育館)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-8] 電子強誘電体YbFe2O4薄膜のエピタキシャル成長過程におよぼす下部電極の影響

嶋本 健人1、三浦 光平1、田中 淳平1、桐谷 乃輔1、吉村 武1、芦田 淳1、藤村 紀文1 (1.阪府大工)

キーワード:RFe2O4、電子強誘電体、下部電極

RFe2O4(R:希土類)は、電荷のフラストレーションによって電荷秩序構造が形成する電子強誘電体である。これまでに、電界誘起物性を評価するために重要となるPt電極上にもエピタキシャル成長することを報告しているが、8%もの格子不整合によって表面平坦性などの問題が顕在化している。高い導電性とキャリア濃度、広いバンドギャップを有する透明導電性酸化物(111)ITOエピタキシャル薄膜は、六方晶YbFe2O4薄膜と基板間の格子不整合を狭小化(-3.5%)するバッファー層である。本発表では、(111)ITO薄膜をはじめとする下部電極がYbFe2O4エピタキシャル成長におよぼす影響について議論する