[21a-PB1-1~86] 17 ナノカーボン（ポスター）

[21a-PB1-57] 二段重ね基板間の間隙を利用したMoS₂薄膜のCVD成長

〇高橋 巧成¹、西 敬生¹、高岡 毅²、米田 忠弘² (1.神戸高専、2.東北大多元研)

キーワード：層状物質、二硫化モリブデン

次世代の半導体材料として注目されている二硫化モリブデン(MoS₂)はグラフェンと違い，単層であってもバンドギャップを持ち，様々なデバイスに応用されている．デバイス作製に用いられるMoS₂は天然結晶の機械的剥離法やCVD法やスパッタ法などが報告されているがそれぞれに課題がある．本研究はMoS₂の均一で広い面積の薄膜をCVD法で容易に製膜する手法として二段重ね基板間の間隙を利用したCVD法を提案する。