[21p-B31-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[21p-B31-10] Homoepitaxial Growth of Undoped and Zn-doped β-Ga₂O₃ by Mist Chemical Vapor Deposition

〇Tatsuji Nagaoka¹, Hiroyuki Nishinaka², Masahiro Yoshimoto² (1.Toyota Motor Corporation, 2.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:mist CVD, dope, acceptor

酸化ガリウム（Ga₂O₃）は液相からの結晶成長が容易なため、その結晶基板を用いることで安価で高品質な縦型パワー半導体素子の実現が期待されている。そこで、塩化物系材料を原料としたミストCVD法を用いて、β-Ga₂O₃(010)基板上へのホモエピタキシャル成膜とZnドーピングを試みた。その結果、Znを含む良質なエピ層を得ることができ、また、その断面SCM分析により半絶縁性であることを確認した。