[21p-B31-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[21p-B31-2] Fabrication of α-Ga2O3 thin film with smooth surface by Mist CVD

〇(M1)Tatsuya Yasuoka¹, Tamako Ozaki¹, Yuki Tagashira¹, Li Liu², Giang T. Dang², Toshiyuki Kawaharamura^1,2 (1.Kochi Univ. of Tech. Sys. Eng., 2.Kochi Univ. of Tech. Res. Inst.)

Keywords:Gallium Oxide, Mist CVD

a-Ga₂O₃は4.9 ~ 5.3 eVと大きなバンドギャップを有しており、深紫外LED等への応用が期待されている。我々の研究グループでは非真空機能性薄膜作製技術であるミストCVD法を開発しており[1]、ミストCVD法はa-Ga₂O₃薄膜を成膜するのに有効な手法の一つである[2]。しかし、表面粗さを低減させることが問題点の一つであった。今回、成膜時にHClを支援し、原料濃度を濃くすることにより、表面粗さを低減させることに成功したため報告する。