[21p-B31-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[21p-B31-3] Phase Transition Mechanism of α-Ga₂O₃ Films on Sapphire Substrates

〇Riena Jinno¹, Kentaro Kaneko¹, Shizuo Fujita¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:Ultra-wide bandgap semiconductor, Gallium oxide, Phase transition

α‑Ga₂O₃は、5.3-5.6 eVのバンドギャップ値を有する超ワイドバンドギャップ半導体材料の1つであり、近年パワーデバイスや深紫外発光デバイスの材料として注目を集めている。α‑Ga₂O₃は熱的に準安定相であり、650℃以上で最安定相のβ相に相転移することが報告されていたが、サファイア基板上にα‑Ga₂O₃を選択成長(SAG)することで700℃以上でも結晶構造を維持することが可能となった。高温を要するプロセスやデバイスの信頼性にとって、相転移温度の増加は非常に重要である。本研究では、TEM観察を用い、サファイア基板上α‑Ga₂O₃薄膜中のβ相への転移のプロセスについて検討したので報告する。