[21p-B31-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-B31-2] ミストCVD法による表面平坦性の優れたα-Ga2O3薄膜の作製

〇(M1)安岡 龍哉¹、尾﨑 珠子¹、田頭 侑貴¹、刘 丽²、ダン タイジャン²、川原村 敏幸^1,2 (1.高知工大シス工、2.高知工大総研)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD

a-Ga₂O₃は4.9 ~ 5.3 eVと大きなバンドギャップを有しており、深紫外LED等への応用が期待されている。我々の研究グループでは非真空機能性薄膜作製技術であるミストCVD法を開発しており[1]、ミストCVD法はa-Ga₂O₃薄膜を成膜するのに有効な手法の一つである[2]。しかし、表面粗さを低減させることが問題点の一つであった。今回、成膜時にHClを支援し、原料濃度を濃くすることにより、表面粗さを低減させることに成功したため報告する。