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[21p-B31-3] Phase Transition Mechanism of α-Ga2O3 Films on Sapphire Substrates
Keywords:Ultra-wide bandgap semiconductor, Gallium oxide, Phase transition
α‑Ga2O3は、5.3-5.6 eVのバンドギャップ値を有する超ワイドバンドギャップ半導体材料の1つであり、近年パワーデバイスや深紫外発光デバイスの材料として注目を集めている。α‑Ga2O3は熱的に準安定相であり、650℃以上で最安定相のβ相に相転移することが報告されていたが、サファイア基板上にα‑Ga2O3を選択成長(SAG)することで700℃以上でも結晶構造を維持することが可能となった。高温を要するプロセスやデバイスの信頼性にとって、相転移温度の増加は非常に重要である。本研究では、TEM観察を用い、サファイア基板上α‑Ga2O3薄膜中のβ相への転移のプロセスについて検討したので報告する。