[21p-B31-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-B31-3] サファイア基板上α-Ga₂O₃薄膜の相転移メカニズム

〇神野 莉衣奈¹、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工)

キーワード：超ワイドバンドギャップ半導体、酸化ガリウム、構造相転移

α‑Ga₂O₃は、5.3-5.6 eVのバンドギャップ値を有する超ワイドバンドギャップ半導体材料の1つであり、近年パワーデバイスや深紫外発光デバイスの材料として注目を集めている。α‑Ga₂O₃は熱的に準安定相であり、650℃以上で最安定相のβ相に相転移することが報告されていたが、サファイア基板上にα‑Ga₂O₃を選択成長(SAG)することで700℃以上でも結晶構造を維持することが可能となった。高温を要するプロセスやデバイスの信頼性にとって、相転移温度の増加は非常に重要である。本研究では、TEM観察を用い、サファイア基板上α‑Ga₂O₃薄膜中のβ相への転移のプロセスについて検討したので報告する。