2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-B31-1~14] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2019年9月21日(土) 12:45 〜 16:30 B31 (B31)

川原村 敏幸(高知工科大)、池之上 卓己(京大)

13:45 〜 14:00

[21p-B31-5] Ga源にGaCl3又はGaClを用いるGa2O3 HVPE成長の熱力学解析

加茂 崇1、三浦 遼1、竹川 直1、富樫 理恵2、後藤 健1、熊谷 義直1,3 (1.東京農工大院、2.上智大理工、3.東京農工大IGIR)

キーワード:酸化ガリウム、ハライド気相成長法、熱力学解析