[21p-E310-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[21p-E310-1] Etching depth control in GaN oxide-formed two-step wet-etching method

〇Yasuharu Kiyotou¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Tech., 2.IIS, The Univ. of Tokyo)

Keywords:semiconductor, GaN, etching

我々が提案している2段階ウェットエッチング法とは，電気化学的手法を用いたGaNの陽極酸化と酸化物除去を組み合わせたエッチング方法である。この方法では，まず通電により陽極酸化がGaN層の最下部までコラム状に進行する。そして，コラム密度が高い状態で酸化物の除去を行うことで通電領域全域を一度にエッチングすることが可能である。今回我々は，2段階ウェットエッチングの次の検討として深さ方向のエッチング制御を検討した。