[21p-E310-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-E310-10] サイクロトロン共鳴に向けたAlNテンプレート上AlGaN/InGaNヘテロ構造の成長

〇角谷 正友¹、福田 清貴^1,2、矢代 秀平^1,2、本田 徹²、Kindole Dickson³、竹端 寛治¹、今中 康貴^1,3 (1.物材機構、2.工学院大、3.北大理)

キーワード：III-V族窒化物、シュブニコフドハース振動

我々はMOCVDでサファイア基板/AlNテンプレート上にInGaN薄膜を成長し、結晶性やalloy scatteringの観点から膜厚依存性を検討したところ、シュブニコフドハース振動が観測できるほど良好なInGaN薄膜とAlGaN/InGaN/GaNヘテロ構造を作製することができた。