Siイオン注入プロセスを用いた高純度HVPE-AlN基板表面のn型化

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-E310-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月21日(土) 12:45 〜 16:00 E310 (E310)

小林篤(東大)、難波江宏一(ウシオオプトセミコンダクター(株))

13:15 〜 13:30

〇清水裕大¹、齋藤大地¹、竹川直¹、後藤健¹、永島徹²、山本玲緒²、Bo Monemar³、熊谷義直^1,4 (1.東京農工大院、2.株式会社トクヤマ、3.リンチョーピン大、4.東京農工大IGIR)

キーワード：イオン注入、窒化アルミニウム、ウルトラワイドバンドギャップ半導体