2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

谷井 孝至

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発表者・著者、共著者

2019年3月10日(日) 13:30 〜 17:50 W922 (ディジタル多目的ホール)

  • シンポジウム(口頭講演)
  • | シンポジウム
  • | イオン注入技術の進展　〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜

[10p-W922-1~8] イオン注入技術の進展　〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜

17:20 〜 17:50

[10p-W922-8] イオン注入による単一不純物欠陥の規則的配列形成とその応用
－ダイヤモンド中浅い単一NVセンターの配列形成－

〇谷井 孝至1、品田 高弘2、寺地 徳之3、小野田 忍4、大島 武4、McGuinness Liam5、Jelezko Fedor5、Liu Yan6、Wu E6、加田 渉7、花泉 修7、川原田 洋1、磯谷 順一8 (1.早大理工、2.東北大、3.物材機構、4.量研、5.ウルム大、6.華東師範大、7.群大、8.筑波大)