[10p-W922-1~8] Progress in ion implantation for semiconductor devices -Si, GaAs and WBG materials-

[10p-W922-8] Fabrication of single impurity defects in a regular array by ion implantation and its quantum application

〇Takashi Tanii¹, Takahiro Shinada², Tokuyuki Teraji³, Shinobu Onoda⁴, Takeshi Ohshima⁴, Liam McGuinness⁵, Fedor Jelezko⁵, Yan Liu⁶, E Wu⁶, Wataru Kada⁷, Osamu Hanaizumi⁷, Hiroshi Kawarada¹, Junichi Isoya⁸ (1.Waseda Univ., 2.Tohoku Univ., 3.NIMS, 4.QST, 5.Ulm Univ., 6.ECNU, 7.Gunma Univ., 8.Univ. of Tsukuba)

Keywords:impurity defect, NV centers in diamond, single ion implantation

筆頭著者はダイヤモンドの研究では後発であるが，電子線リソグラフィーと不純物イオン注入を中心に，数年前より共著者らの協力を得て，単一NVセンターや単一SiVセンターの規則的配列形成を試みてきた。前者は量子レジスターまたは量子センシング応用，後者は単一光子源としての応用を目的として試作された。講演では，私たちの取り組み^{4, 5)} を中心に，上記の単一欠陥の規則的配列作製プロセスならびに評価結果に関して紹介する。