17:15 〜 17:30 [9p-M121-13] Al2O3ゲート絶縁膜を持つN極性GaN HEMT 〇早坂 明泰1、青沼 遼介1、堀田 航史1、眞壁 勇夫2、吉田 成輝2、宮本 恭幸1 (1.東工大工、2.住友電気工業)