11:15 〜 11:30 [11a-M121-9] SiNキャップ層高温熱処理によりGaN中に導入される深い準位 〇古田 悟夢1、堀田 昌宏2,3、田中 成明4、岡 徹4、須田 淳2,3 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研、4.豊田合成)