[11a-M121-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11a-M121-9] Deep level traps in GaN by high-temperature thermal treatment with SiN cap

〇Satomu Furuta¹, Masahiro Horita^2,3, Nariaki Tanaka⁴, Tohru Oka⁴, Jun Suda^2,3 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. Graduate school, 3.IMASS Nagoya Univ., 4.Toyota Gosei)

Keywords:Gallium nitride, GaN, DLTS

イオン注入後やプロセスダメージの回復のために高温熱処理(アニール)が行われる。高温熱処理には欠陥の回復効果が期待される一方、新たな欠陥生成の恐れもある。本研究ではn型GaNホモエピタキシャル成長層に対してSiNキャップ層を形成後に高温熱処理を行い、その後キャップ層を除去してショットキー電極を形成しGaN中に生成される深い準位とその深さ分布について詳しく調べたので報告する。