10:00 〜 10:15 △ [11a-70A-5] Al2O3/SiO2/n型4H-SiC MOSキャパシタの高温領域におけるリーク電流の伝導機構の検討 〇田村 敦史1、増永 昌弘2、佐藤 慎太郎2、喜多 浩之1 (1.東大院工、2.日立研開)