11:15 〜 11:30 △ [9a-M121-7] ガンマ線照射によるAl2O3/GaN MOSダイオードの容量-電圧特性の変化 〇(M1)青島 慶人1、金木 奨太2、堀田 昌宏1,3、須田 淳1,3、橋詰 保2 (1.名大院工、2.北大量エレ研、3.名大未来研)